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一种半导体装置的制造方法,包含形成接触导孔开口于第一介电层中,其中接触导孔开口暴露出接触蚀刻停止层(CESL)的第一部分。上述方法还包含蚀刻被接触导孔开口暴露出的接触蚀刻停止层的第一部分与接触导孔开口的邻近的横向部分,以暴露出源极/漏极接触件并形成具有多个孔洞的扩大的接触导孔开口,所述孔洞设置于该扩大的接触导孔开口的底部的任一侧上。上述方法还包含沉积第一金属层于扩大的接触导孔开口内与所述孔洞内以提供接触导孔与被暴露出的源极/漏极接触件接触。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270364 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110325260.6
(22)申请日 2021.03.26
(30)优先权数据
16/846,91
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