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存储器阵列及用于形成包括存储器单元串及可操作直通阵列通孔的存储器阵列的方法.pdfVIP

存储器阵列及用于形成包括存储器单元串及可操作直通阵列通孔的存储器阵列的方法.pdf

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    一种用于形成包括存储器单元串及可操作直通阵列通孔(TAV)的存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替的绝缘层级及导电层级的堆叠。所述堆叠包括TAV区及可操作存储器单元串区。所述TAV区包括间隔的可操作TAV区域。在所述堆叠中在所述可操作存储器单元串区中形成可操作通道材料串且在所述堆叠中在所述TAV区中在所述可操作TAV区域的横向外部且未在所述可操作TAV区域内形成虚设通道材料串。在所述TAV区中的所述间隔的可操作TAV区域中的个别者中形成可操作TAV。公开其它方法及独立于方法的结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113924644 A (43)申请公布日 2022.01.11 (21)申请号 202080041691.3 徐丽芳　 (22)申请日 2020.05.0

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