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    本公开提供了一种存储阵列。该存储阵列包括硅衬底、控制电路，以及至少一层阵列排布的存储器单元；控制电路设置于硅衬底上，至少一层存储器单元层叠设置于硅衬底上或控制电路远离硅衬底的一侧；存储器单元包括选通器；其中，选通器包括二维材料制备的基底。本公开存储阵列通过选用二维材料制备选通器的基底，再由制备的选通器形成存储器单元时，不同的存储器单元可以进行层叠设置。当存储器单元形成存储阵列时，存储阵列可以形成层叠设置的多层阵列排布的存储器单元，从而可以减小包括多层阵列排布的存储器单元的占用面积，实现存储阵列的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257296 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110513049.7 (22)申请日 2021.05.11 (71)申请人 北京

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