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本发明提供一种半导体器件的形成方法，在沉积绝缘层于第二电极层表面、暴露的第一电极层表面及位于所述第一电极层中的开口中之后，利用与沉积所述绝缘层的第一反应气体不同的第二反应气体，去除位于所述第二电极层上方的部分厚度的所述绝缘层，如此，可避免由第一反应气体所产生的溅射而造成的第一电极层和/或第二电极层损伤，从而能够避免第一电极层或第二电极层短路。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270394 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110545939.6
(22)申请日 2021.05.19
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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