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2023-06-17 发布于四川
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超掺杂硅薄膜太阳能电池及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种超掺杂硅薄膜太阳能电池及其制作方法，涉及太阳能电池技术领域。所述制作方法包括电极掩膜，将硅基太阳能电池作为衬底进行电极掩模后置入真空镀膜机的真空室中；抽真空，对真空室抽真空处理；镀膜，蒸发硅颗粒和过渡金属粉末或颗粒在衬底上形成厚度为0.05～1μm的混合薄膜；掺杂，待衬底冷却后，取出衬底置入保护气氛中，使用高重复频率纳秒激光熔融混合薄膜形成等间距条状半导体掺杂层。本发明还提供了一种超掺杂硅薄膜太阳能电池，其使用上述方法制得。本发明的有益效果可包括：能够制作对全光谱产生光电效应的太

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113257957 B (45)授权公告日 2022.08.23 (21)申请号 202110656358.X RU 2646644 C1,2018.03.06 (22)申请日 20

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