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本发明公开一种降低主结体电场的积累场效应晶体管及其制作方法。该器件中设置积累介质层，覆盖P型基区与N+漏区之间的区域；设置半导体材料的外延层，覆盖所述积累介质层；积累栅极和积累漏极，分别位于外延层的左端侧面、右端侧面；欧姆栅极与积累栅极通过导线连接，整体作为器件的栅极；欧姆漏极与积累漏极通过导线连接，整体作为器件的漏极。积累介质层可在衬底表面引入高浓度电子形成器件的电流通道，降低器件的导通电阻，同时取消传统LDMOS器件中的N型漂移区，在衬底中引入了N型埋层，可降低主结处的体电场(Reduced
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270477 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110379146.1
(22)申请日 2021.04.08
(71)申请人 西安电子科技大学
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