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本发明涉及半导体生产领域，特别涉及一种光电探测器结构及其制备方法。一种光电探测器结构包括：衬底，第一氧化硅层，第二氧化硅层，第二氧化硅层的厚度为10nm～1μm，氧化铝层，P‑I‑N堆叠层。其制备方法：在衬底上形成锗缓冲层；形成本征半导体层；形成P型半导体层；形成氧化铝层，形成或不形成第二氧化硅层，得到衬底A，并且第二氧化硅层的厚度为10nm～1μm；在另一衬底上形成第一氧化硅层，并且若衬底A不形成第二氧化硅层，则继续形成第二氧化硅层，得到衬底B；将衬底A和衬底B键合；去除A衬底中的衬底和锗缓冲
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270505 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110396769.X
(22)申请日 2021.04.13
(71)申请人 广东
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