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本发明提供了一种薄膜体声波谐振器的制造方法,包括提供衬底并在所述衬底上形成凹槽结构,该凹槽结构包括第一凹槽以及第二凹槽;在所述凹槽结构内形成用于对其填充的第一牺牲结构;在所述衬底上形成下电极,其中,所述下电极位于所述第一凹槽的上方,所述下电极位于所述第一凹槽之外的部分其至少部分底面边缘区域落入所述第二凹槽的开口范围内;在所述衬底上形成覆盖所述下电极的压电层、以及在所述压电层位于所述第一凹槽上方的位置形成上电极;去除所述第一牺牲结构。相应地,本发明还提供了一种薄膜体声波谐振器。实施本发明可以有效提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113258899 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110536934.7
(22)申请日 2021.05.18
(71)申请人 苏州
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