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本发明涉及LED芯片技术领域，公开了一种倒装LED芯片，包括衬底和多个串联连接的GaN基外延层单元，GaN基外延层单元包括镀设有N型电极层的N型GaN层和镀设有P型电极层的P型GaN层，上一个GaN基外延层单元的N型电极层通过连接电极层与下一个GaN基外延层单元的P型电极层连接，P型电极层、连接电极层和N型电极层均包括从上至下依次设置的Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及由n层Sn金属层和n层Au金属层周期性交错设置形成的SnAu基合金层。本发明还公开了该倒装LED芯片的制作方法
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270524 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110483568.3
(22)申请日 2021.04.30
(71)申请人 广东德力光电有限公司
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