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2023-06-17 发布于四川
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一种散热效果好的LED芯片的制备方法.pdf

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本发明涉及LED芯片技术领域，公开了一种散热效果好的LED芯片的制备方法，包括以下步骤：(1)制作外延层，利用MOCVD设备在衬底上依次生长N型层、MQW层和P型层；(2)刻蚀外延层，使N型层裸露；(3)在P型层上溅镀透明导电层；(4)在透明导电层和裸露的N型层上蒸镀第一PAD层；(5)在LED芯片表面蒸镀DBR+Al2O3层；(6)在所述DBR+Al2O3层上局部镀Al层；(7)在Al层上蒸镀Al2O3+DBR层；(8)刻蚀DBR，使第一PAD层和Al层裸露；(9)在LED芯片表面蒸镀第二PA

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113270531 B (45)授权公告日 2022.07.22 (21)申请号 202110485356.9 H01L 33/44 (2010.01) (22)申请日 2021

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