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本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种半导体场效应管器件，其中，包括：主动区和环绕所述主动区设置的终端区，所述主动区包括多个间隔设置的沟槽，每相邻两个沟槽之间的间距均相同且均为第一距离，所述终端区包括终端环，所述终端环在拐角位置的形状为圆弧状，所述终端环朝向沟槽且与所述沟槽的深度方向垂直的表面形成波浪状，所述终端环形成波浪状的表面到所述沟槽的端面距离为第二距离，所述第一距离与所述第二距离相同。本发明提供的半导体场效应管器件能够提升半导体场效应管器件的抗击穿能力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113257895 B
(45)授权公告日 2021.09.28
(21)申请号 202110792887.2 (56)对比文件
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