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本发明属于LED芯片技术领域，提供了一种硅基发光二极管结构，包括通过绝缘填充区域分割为N电极区域和P电极区域的硅基衬底，N电极区域和P电极区域的硅基衬底底面分别设有N焊接电极、P焊接电极；N电极区域的硅基衬底正面由下而上依次设有N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和透明导电层，透明导电层上方设有覆盖绝缘填充区域的钝化绝缘层，钝化绝缘层上方设有延伸并覆盖至P电极区域硅基衬底的P电极传输层，P电极传输层通过钝化绝缘层上的暴露区分别与透明导电层、P电极区域的硅基衬底接触连接。本发明无需焊线即可实现与封
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113257972 B
(45)授权公告日 2022.03.08
(21)申请号 202110799492.5 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日
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