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本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。该发光元件包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5eV的第二金属
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113261119 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202180001695.3 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日 2
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