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电容性器件和其制造方法.pdfVIP

电容性器件和其制造方法.pdf

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    本发明涉及一种深沟槽结构，可形成于电容性器件的多个电极之间。深沟槽结构可形成为具有相对于使用金属刻蚀终止层来形成的沟槽结构来说得以增加深沟槽结构的体积的深度、宽度和/或纵横比。因此，深沟槽结构能够填充有更大量的介电材料，这增加电容性器件的电容值。此外，可通过省略金属刻蚀终止层来减小电容性器件的寄生电容。因此，深沟槽结构(和金属刻蚀终止层的省略)可增加电容性器件的灵敏度，可增加电容性器件的湿度传感性能，和/或可增加在其中包含电容性器件的器件和/或集成电路的性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113948640 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202110259087.4 (22)申请日 2021.03.10 (30)优先权数据

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