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本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法包括在栅极结构之上沉积电介质帽盖。在源极/漏极区域之上与栅极结构相邻地形成源极/漏极接触件。氧化电介质帽盖的顶部。在氧化电介质帽盖的顶部之后，在电介质帽盖之上沉积蚀刻停止层，并在蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层。蚀刻ILD层和蚀刻停止层以形成过孔开口，该过孔开口延伸穿过ILD层和蚀刻停止层。在过孔开口中填充源极/漏极过孔。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113948471 A
(43)申请公布日 2022.01.18
(21)申请号 202110581823.8
(22)申请日 2021.05.24
(30)优先权数据
63/084,73
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