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一种二维材料的转移方法，属于半导体材料领域。二维材料的转移方法包括：将生长基底有二维材料的一面与支撑层经胶层粘接，保持胶层具有流动性的条件下，于刻蚀液中去除生长基底后，刻蚀液中含有沸点低于胶层的固化温度的低沸点溶剂，在低于胶层的固化温度下加热，使低沸点溶剂转化为气态以撑开并消除二维材料的褶皱后，将二维材料背离支撑层的一面与目标基底结合，去除支撑层及胶层，实现二维材料从生长基底转移至目标基底。本申请通过上述特定的操作，不仅能够实现二维材料从生长基底转移至目标基底，还有效降低转移后的二维材料表面存在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113264522 B
(45)授权公告日 2022.08.23
(21)申请号 202110689750.4 C01B 25/00 (2006.01)
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