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根据实施例的半导体存储器装置包含衬底。所述衬底包含第一及第二区域，及块区域。所述第二区域包含子区域。所述子区域中的每一者包含沿第一方向布置的接触区域及绝缘区域。所述接触区域包含平台状部分及对应于两个块区域的第一接触件。所述绝缘区域包含对应于所述两个块区域的第二接触件。奇数子区域的接触区域及偶数子区域的绝缘区域沿第二方向以交替方式安置。所述奇数子区域的绝缘区域及所述偶数子区域的接触区域沿所述第二方向以交替方式安置。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113963735 A
(43)申请公布日 2022.01.21
(21)申请号 202110189946.7 G11C 16/24 (2006.01)
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