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本发明提供一种功率半导体器件，包括P型衬底、N型阱区、P型体区、栅氧化层、多晶硅栅、第一氧化层、第一N+接触区、第一P+接触区、漏极金属、第一型掺杂区、栅氧化层；本发明首先体区末端平齐或者超过多晶硅栅末端的设计降低了器件的Cgd，提高了器件的开关频率，另外还在漂移区上方引入了与源极相连的多晶硅场板，其不仅屏蔽了多晶硅栅对漂移区的影响，从而消除了传统多晶硅栅与漂移区交叠带来的Cgd，也使得器件对热载流子效应有较强的鲁棒性，最后本发明还在该多晶硅场板下方的漂移区表面引入额外的注入，很好地解决了由与源
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113270500 B
(45)授权公告日 2022.11.04
(21)申请号 202110533706.4 H01L 29/10 (2006.01)
(22)申请日 2021.05
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