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本发明公开了一种陶瓷平膜压阻芯片及其制备方法,支持厚片包括第一支持层、第二支持层、第三支持层、导线基层、导通电路、PAD过孔层、PAD层和调零电阻,第一支持层、第二支持层、第三支持层、导线基层和PAD过孔层设置有导通过孔,第一支持层、第二支持层、第三支持层中心处设置有避空孔;制备方法包括以下步骤:1)配制浆料,2)流延,3)裁片,4)冲孔,5)填孔,6)印刷,7)叠片,8)静压,9)切割,10)排胶和烧结。采用低温共烧工艺,制作全密封一体结构平膜压阻芯片;由较厚的支持多层厚片、较薄可形变的陶瓷弹
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113270240 B
(45)授权公告日 2022.07.19
(21)申请号 202110534574.7 (51)Int.Cl.
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