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本发明提供晶片的加工方法,对包含倒角部的外周剩余区域的内部照射激光束而能够将包含该倒角部的环状的区域容易地从晶片去除。提供晶片的加工方法,包含如下的工序:保护部件配设工序,在晶片的正面上配设保护部件;改质层形成工序,按照将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于外周剩余区域的内部的方式对晶片照射激光束而形成环状的改质层;分离工序,以环状的改质层为起点对晶片进行分割而将外周剩余区域的一部分或全部从晶片分离;以及磨削工序,对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化,在改质层形成工序中,改质层形成为直径从
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270313 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110170685.4
(22)申请日 2021.02.08
(30)优先权数据
2020-0232
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