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电容器及制造电容器和半导体器件的方法.pdfVIP

电容器及制造电容器和半导体器件的方法.pdf

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    电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间，电介质层包括铪和锆中至少之一；第一插入层，设置在第一电极和电介质层之间；以及第二插入层，设置在电介质层和第二电极之间。第一插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第一导电材料。第二插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第二导电材料。第一导电材料和第二导电材料各自的晶格常数与电介质层的电介质材料的水平晶格常数具有2％或更小的晶格失配。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964269 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111189869.1 (51) Int.C l.

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