制造半导体器件的方法.pdfVIP

制造半导体器件的方法.pdf

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本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成延伸穿过多个层的开口；在所述开口中形成衬垫层；以及在所述开口中沉积金属材料，其中，所述金属材料包含杂质，并且通过所述衬垫层作为催化剂的化学反应将所述杂质转化为气态产物。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964085 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111205258.1 (22)申请日 2015.11.10 (30)优先权数据

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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