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半导体存储器芯片，包括第一静态随机存取存储器(SRAM)单元和第二SRAM单元。第一SRAM单元具有第一GAA晶体管，并且第二SRAM单元具有第二GAA晶体管。第一和第二SRAM单元具有相同的单元尺寸，并且第一和第二GAA晶体管具有相同的晶体管类型。此外，第一GAA晶体管具有第一临界电压，并且第二GAA晶体管具有第二临界电压。第二临界电压与第一临界电压不同。此外，第一GAA晶体管具有第一栅极堆叠，并且第二GAA晶体管具有第二栅极堆叠。第一栅极堆叠具有第一功函数值，并且第二栅极堆叠具有第二功函数值
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270409 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110320615.2
(22)申请日 2021.03.25
(30)优先权数据
16/837,82
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