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2023-06-17 发布于四川
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一种具有p-i-n型多量子阱结构的紫外发光二极管.pdf

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本发明公开了一种具有p‑i‑n型多量子阱结构的紫外发光二极管，由下到上依次设置有衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、p‑i‑n型多量子阱有源区、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN欧姆接触层，以及设置在n型AlGaN层上的n型电极和设置在p型GaN欧姆接触层上的p型电极。本发明提供的具有p‑i‑n型多量子阱结构的紫外发光二极管能够提高载流子浓度及注入效率，并可利用掺杂浓度不同的相邻区域中载流子的浓度差形成一个与原有内建电场方向相反的电场，能够削弱p型区与n型区之间原有的内建电场，降低由内建

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113257962 B (45)授权公告日 2022.06.24 (21)申请号 202110509332.2 H01L 33/32 (2010.01) (22)申请日 2021.05

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