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本发明公开了一种多层多功能CMP抛光垫及其制备方法和应用,所述抛光垫包括基体层和制备在基体层上的抛光层,所述基体层包括刚性衬底层和制备在刚性衬底层上的弹性衬底层;所述抛光层包括粗抛层、半精抛层和精抛层;所述粗抛层、半精抛层和精抛层之间由弹性层粘结。本发明所述抛光垫具有粗抛‑半精抛‑精抛的加工特性,并可以根据工艺特点调整层叠次序,以对加工晶片的表面质量进行控制,提高了晶片表面抛光的工艺效率,可在获得更高的表面加工质量同时对晶片的表面加工质量进行定性控制。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113246016 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110642337.2
(22)申请日 2021.06.09
(71)申请人 广东
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