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本发明涉及零部件加工领域，特别是涉及一种工件涂层及其制备方法与应用。本发明通过在0V～‑200V的第一偏压下在工件上沉积厚度为100nm～200nm的第一膜层，使得第一膜层包含结晶取向的转变区，促使形成高密度的共格晶界，然后施加‑300V～‑2000V的第二偏压，沉积厚度为5nm～30nm的第二膜层，由于偏压的加速，沉积粒子的能量较高，阻断了第一膜层中晶体的连续生长，形成一个界面，使得再次施加第一偏压时，晶体从该界面重新生长，从而保证了结晶取向转变区和共格晶界在整个涂层中的占比较高，有效提升了整
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113249689 B
(45)授权公告日 2021.12.10
(21)申请号 202110515640.6 C23C 14/02 (2006.01)
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