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2023-06-17 发布于四川
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一种调节组分平衡的碳化硅晶体生长方法及设备.pdf

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本发明提供一种调节组分平衡的碳化硅晶体生长方法及设备，其设备包括包括腔体、固定在腔体内的石墨坩埚和加热器、生长槽，所述石墨坩埚内水平设置有多孔隔板，多孔隔板将石墨坩埚分为晶体生长腔和辅助腔，晶体生长腔内盛装有碳化硅原料，辅助腔内通过升降组件活动连接有辅助坩埚，辅助坩埚内部盛装有富硅原料；所述加热器对晶体生长腔均匀加热。本发明的设备包括石墨坩埚以及利用升降组件调节的辅助坩埚，随着晶体不断生长，利用升降组件对辅助坩埚的高度进行调节，使其在晶体生长过程中向碳化硅原料中补充硅元素，调节碳化硅原料中碳组分

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113249792 B (45)授权公告日 2021.09.28 (21)申请号 202110695211.1 C30B 23/00 (2006.01) (22)申请日

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