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本发明公开了一种芯片衬底外延片，对芯片无源电路衬底外延片进行定制。电阻采用Iso/Mesa电阻，电阻区下方采用低掺杂浓度或未掺杂的衬底，取消衬底外延片上的沟道层，由高阻的势垒层或缓冲层纵向填充该沟道层。电感采用空气桥电感。电容采用支撑柱支撑电容。本发明芯片电阻具有更高的方块电阻，能实现更精密的Iso/Mesa电阻值控制，能够实现更少的漏电、更好的隔离效果和更好的噪声特性；芯片电容和电感具备更高的单位容值和电感值，更高的Q值，更小的电磁泄露和噪声；在此新型衬底外延片上制作的芯片具备更高的输出功率和
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113257808 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202110532783.8 H01L 29/778 (2006.01)
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