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电场调节的Ge基双异质结深紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法.pdfVIP

电场调节的Ge基双异质结深紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法.pdf

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    本发明公开了电场调节的Ge基双异质结深紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，是以n‑型Ge为基底，在基底上铺设PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜，且Ge与PdTe2薄膜形成异质结、PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜形成异质结。本发明的光电探测器能实现电场调节的深紫外‑近红外双波段光电探测，且制备工艺简单、成本低廉。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113257945 B (45)授权公告日 2022.06.07 (21)申请号 202110732481.5 (56)对比文件 (22)申请日

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