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公开了一种集成电路及其形成方法。该集成电路包括第一对电源轨、导电线组和第一组有源区，导电线组与第一对电源轨平行地被布置在第一层中。该集成电路还包括第一栅极，第一栅极在第二方向上被布置在第一对电源轨之间且穿过布局视图中的第一组有源区，其中，第一栅极被配置为由属于第一类型的第一晶体管和属于第二类型的第二晶体管共用；以及第二栅极和第三栅极，其中，第二栅极被配置为第三晶体管的控制端子，并且第三栅极被配置为第四晶体管的控制端子，第四晶体管的控制端子耦合至第三晶体管的控制端子。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889470 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202110176765.0
(22)申请日 2021.02.07
(30)优先权数据
17/025,98
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