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本发明属于ESD芯片制造领域,尤其是一种低电容ESD芯片制造工艺,针对现有的ESD芯片漏电流高,电容值高问题,现提出如下方案,其包括以下步骤:S1、扩散前处理:采用N型外延衬底,通过酸、SC3#配方清洗工序,对硅片表面进行化学处理;S2、零层光刻,初氧;S3、基区光刻:正胶工艺刻出基区;S4、基区补硼;S5、硼氧化:生成薄氧;S6、正面接触区光刻,正面蒸铝,正面金属光刻;S7、真空合金,中检;S8、正面贴膜保护,背面磨片,背面蒸钛镍银锡;S9、测试,本发明漏电流低,电容值低。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270317 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110584911.3
(22)申请日 2021.05.27
(71)申请人 江苏晟驰微电子有限公司
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