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一种多针阵列式伪MOS结构测量探头.pdfVIP

一种多针阵列式伪MOS结构测量探头.pdf

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    本发明属于测试技术领域，具体为一种多针阵列式伪MOS结构测量探头。本发明测量探头由外围多根探针围绕中央一根探针呈环形均匀排布组成，中央一根探针接出一根引线作为源极（或漏极）传导，外围多根探针短路连接共同接出一根引线作为漏极（或源极）传导，中央一根探针与外围多根探针的间距相同，为0.2‑5mm；外围探针数量根据测试需要灵活设置。本发明提出的测量探头可有效屏蔽测量过程中的本征漏电点，且屏蔽效果随着外围多针数目的增加而增强。该测量探头可普遍应用于绝缘层上硅（SOI）、绝缘层上锗（GeOI）、氧化层上多

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113267714 B (45)授权公告日 2022.05.20 (21)申请号 202110472854.X (56)对比文件

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