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适用于碳化硅半导体器件的欧姆接触工艺及结构.pdfVIP

适用于碳化硅半导体器件的欧姆接触工艺及结构.pdf

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    本发明涉及一种欧姆接触工艺及结构，尤其是一种适用于碳化硅半导体器件的欧姆接触工艺及结构。按照本发明提供的技术方案，所述适用于碳化硅半导体器件的欧姆接触工艺，包括N型碳化硅晶片，在所述N型碳化硅晶片所需的表面设置低功函数导电膜，所述低功函数导电膜的功函数低于所述N型碳化硅晶片的电子亲和能，以使得所述低功函数导电膜与N型碳化硅晶片接触后能直接形成所需的欧姆接触。本发明能有效实现欧姆接触，降低欧姆接触的工艺难度，提高半导体器件的性能以及适应范围。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257903 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110546329.8 (22)申请日 2021.05.19 (71)申请人 江苏中科汉韵半导体有限公司

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