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2023-06-17 发布于四川
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半导体器件的制作方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供一基底，该基底表面上凸出形成有多个间隔设置的鳍片，相邻该鳍片之间设有隔离层，该鳍片沿第一横向延伸；在该基底上形成牺牲层，该牺牲层覆盖该鳍片和该隔离层；图案化该牺牲层和该隔离层，以形成沿第二横向延伸的至少一个凹槽，且暴露出每个该凹槽中至少一个鳍片的顶壁和侧壁；形成栅介质层以覆盖凹槽中相应鳍片的该顶壁和该侧壁；形成栅极层以覆盖该栅介质层和该牺牲层；去除该牺牲层和该栅极层周围的该隔离层，以暴露出该栅极层，从而无需通过现有多晶硅刻蚀的方式形成栅极结构，能避免

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113270368 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110518167.7 (56)对比文件 (22)申请日 2021.05.12

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