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本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法包括：在半导体区域上形成栅极电极，使得栅极电极凹陷以生成凹槽，执行第一沉积工艺以在栅极电极上和凹槽中形成第一金属层，其中第一沉积工艺是使用第一前体来执行的，以及使用不同于第一前体的第二前体来执行第二沉积工艺以在第一金属层上形成第二金属层。第一金属层和第二金属层包含相同的金属。该方法还包括在第二金属层之上形成电介质硬掩模，以及形成穿过电介质硬掩模的栅极接触插塞。栅极接触插塞接触第二金属层的顶表面。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270369 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202010893901.3 H01L 29/49 (2006.01)
(22)申请日 2
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