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公开了用于形成伪凸块下金属化结构的方法和通过该方法形成的半导体器件。在实施例中,半导体器件包括:第一再分布线和第二再分布线,处于半导体衬底上方;第一钝化层,处于第一再分布线和第二再分布线上方;第二钝化层,处于第一钝化层上方;第一凸块下金属化(UBM)结构,处于第一再分布线上方,第一UBM结构延伸穿过第一钝化层和第二钝化层并电耦接至第一再分布线;以及第二UBM结构,处于第二再分布线上方,第二UBM结构延伸穿过第二钝化层,第二UBM结构通过第一钝化层与第二再分布线电隔离。本申请的实施例还涉及形成半导
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113948486 A
(43)申请公布日 2022.01.18
(21)申请号 202111011574.5
(22)申请日 2021.08.31
(30)优先权数据
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