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氯化氢高温蚀刻设备的校准方法.pdfVIP

氯化氢高温蚀刻设备的校准方法.pdf

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    本发明提供了一种氯化氢高温蚀刻设备校准方法，属于设备校准领域，具体包括提供第一硅片与第二硅片；将第一硅片放入已校准设备进行氯化氢高温蚀刻，得到第一待测硅片；将第二硅片放入待校准设备进行与第一硅片工艺相同的氯化氢高温蚀刻，得到第二待测硅片；比较第一待测硅片的第一校验参数和第二待测硅片的第二校验参数，判断是否满足预设条件，当判定不满足预设条件，则调校待校准设备，当判定满足预设条件时，判定待校准设备的工艺能力已校准至已校准设备的工艺能力同一水平。通过本申请的处理方案，对生产同批次硅片的设备进行校准，使

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257700 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110479251.2 (22)申请日 2021.04.30 (71)申请人 上海新昇半导体科技有限公司

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