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本发明涉及激光器技术领域，提供了一种半导体激光器，一种半导体激光器，包括衬底、在所述衬底上依次生长的生长结构以及于所述生长结构上形成的导电通道，所述导电通道为长条状的条体，所述条体至少一部分本体为于所述条体的两个侧边外扩形成的加宽部，两个所述侧边为所述条体的长度方向的侧边。本发明的一种半导体激光器，通过增大条体的局部体积，可以降低电流注入密度，进而减轻发热效应，抑制空间烧孔效应，以提高器件的稳定性和延长器件的寿命。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113300213 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202010604971.2
(22)申请日 2020.06.29
(71)申请人 武汉云岭光电有限公司
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