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一种半导体结构及半导体结构的形成方法,方法包括:提供衬底;在衬底上形成沟道柱,所述沟道柱包括第一区、位于第一区上的第二区以及位于第二区上的第三区,在平行于衬底表面的方向上,所述第一区具有第一尺寸,所述第二区具有第二尺寸,所述第三区具有第三尺寸,所述第三尺寸小于第一尺寸,所述第二尺寸小于第一尺寸且所述第二尺寸小于第三尺寸;在第二区侧壁表面形成栅极结构。所述方法形成的半导体结构性能得到了提升。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314595 A
(43)申请公布日
2021.08.27
(21)申请号 20201
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