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提供了半导体器件、集成电路及其形成方法。在一个实施例中,半导体器件包括金属‑绝缘体‑金属结构,金属‑绝缘体‑金属结构包括:底部导体板层,包括第一开口和第二开口;第一介电层,位于底部导体板层上方;中间导体板层,位于第一介电层上方,并且包括第三开口、设置在第三开口内的第一伪板、和第四开口;第二介电层,位于中间导体板层上方;以及顶部导体板层,位于第二介电层上方,并且包括第五开口、设置在第五开口内的第二伪板、第六开口、和设置在第六开口内的第三伪板。第一开口、第一伪板、和第二伪板垂直对准。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314499 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202011361604.0
(22)申请日 2020.11.27
(30)优先权数据
16/802,24
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