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方法包括提供结构,该结构包括:半导体衬底,位于半导体衬底上方的外延源极/漏极部件,以及位于外延源极/漏极部件上方的一个或多个介电层;在一个或多个介电层中蚀刻孔,以暴露外延源极/漏极部件的部分;在外延源极/漏极部件的部分上方形成硅化物层;在硅化物层上方形成导电阻挡层;以及对至少导电阻挡层应用等离子体清洁工艺,其中等离子体清洁工艺使用包括N2气体和H2气体的气体混合物,并且在至少300℃的温度下执行。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法及半导体器件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299743 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110034048.4 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日
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