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本发明公开了一种芯片厚度减薄的方法,涉及半导体技术领域,提供一载板及一待处理芯片,载板上开设有尺寸大于所述待处理芯片的凹槽;将待处理芯片放入凹槽的中心位置,并使待处理芯片的正面与凹槽底面贴合;将石蜡熔化形成溶体,然后注入待处理芯片四周的凹槽中,冷却凝固;采用背面轨道式腐蚀机利用腐蚀溶液对所述待处理芯片的背面进行腐蚀,得到减薄芯片;然后用非极性溶剂将石蜡溶解,再用去离子水冲洗,将减薄芯片表面的水迹吹干即可。本发明减薄过程简单稳定,减薄后待处理芯片表面光滑平整,能够避免机械减薄对待处理芯片的冲击,使
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299538 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110436052.3
(22)申请日 2021.04.22
(71)申请人 重庆工程职业技术学院
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