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2023-06-20 发布于四川
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小信号管芯背金工艺.pdf

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本发明公开了小信号管芯背金工艺，该工艺具体包括如下步骤：晶片正面贴保护膜，背面减薄一定的厚度，减薄厚度为3‑10um，去除晶片正面的保护膜层，以便后续工艺的继续，通过半导体专用设备蒸发台淀积Ti/AL膜层，Ti淀积温度180℃‑260℃，AL淀积温度150℃‑240℃，晶片背面淀积Ti/AL后进炉管合金，N2气和H2气氛围合金，合金温度380℃‑480℃，通过半导体专用设备蒸发台淀积Ti/AL膜层，Ti金属膜厚0.05‑0.2um，AL淀积温度1‑8um，晶片背面淀积Ti/AL后进炉管合金，N2

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113299549 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202110555614.6 (22)申请日 2021.05.21 (71)申请人深圳市联冀电子有限公司

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