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本发明属于晶体加工技术领域的一种铌酸锂晶体的新型单畴化工艺,包括在硅碳棒退火炉中放置直径及高度均大于铌酸锂晶棒30mm的99氧化炉坩埚,将铌酸锂晶棒放置在99氧化铝坩埚中部,在铌酸锂晶棒上、下端均覆盖8~11mm厚多晶料块体层,在上下多晶料块体层上覆盖极性相反的第一电极片和第二电极片,使硅碳棒退火炉的炉温升至1150~1200℃并保温12个小时,保温过程中以铌酸锂晶棒的光轴方向按2mA/cm2施加电流;开始降温并停止施加电流,使硅碳棒退火炉的炉温降至室温。本发明工艺简单,生产成本低,可使铌酸锂晶
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113293442 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110575308.9
(22)申请日 2021.05.26
(71)申请人 焦作晶锐光电有限公司
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