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本申请的各种实施例针对包括前段制程(FEOL)衬底上半导体贯通孔(TSV)的集成电路(IC)芯片以及用于形成该IC芯片的方法。在一些实施例中,半导体层位于衬底上。半导体层可以例如是或包括III‑V族半导体和/或一些其他合适的半导体。半导体器件位于半导体层上,并且FEOL层位于半导体器件上。FEOLTSV在IC芯片的外围处延伸穿过FEOL层和半导体层至衬底。金属间介电(IMD)层位于FEOLTSV和FEOL层上,并且引线和通孔的交替堆叠件位于IMD层中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314459 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202011633256.8
(22)申请日 2020.12.31
(30)优先权数据
62/981,68
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