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本发明公开了一种MEMS惯性器件可动微结构的制备方法,包括:1)在体硅晶圆衬底的表面形成高浓度硼掺杂层;2)通过热氧化在体硅晶圆衬底的表面形成氧化层;3)光刻微结构图形,刻蚀微结构图形部分的氧化层,并进行第一次深硅刻蚀;4)进行第二次掺杂工艺,在体硅晶圆衬底上形成第二高浓度硼掺杂层;5)进行第二次深硅刻蚀,将体硅晶圆衬底上第一次深硅刻蚀形成的沟槽的底部刻蚀到第二预定深度;6)采用碱性溶液湿法腐蚀对微结构进行释放,形成可动微结构;7)去除体硅晶圆衬底表面的氧化层,并刻蚀掉体硅晶圆衬底背面的高浓度硼
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113292037 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110759836.X
(22)申请日 2021.07.05
(71)申请人 美满芯盛(杭州)微电子有限公司
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