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本发明提供的一种软快恢复二极管;包括N区和P区,P区扩散在N区上端面中部的凹槽内,所述N区包括依次在N+区上生长的N缓冲区和外延区,所述P区包括Pbase区和P+区,Pbase区嵌入外延区的上端面中部,所述P+区扩散在Pbase区的两端,所述外延区的上端面外端制作有钝化层,外延区的中心制作有阳极金属层,N+区的底部制作有金属层。本发明通过超低掺杂浓度的N型漂移区和低掺杂浓度的Pbase区可以有效地可以有效的降低反向恢复电荷和反向恢复时间;N型漂移区下表面的N型缓冲层可以缓冲空间电荷区扩展
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314617 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110476668.3 H01L 21/329 (2006.01)
(22)申请日
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