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本发明公开了一种GaN准垂直结构二极管及其制备方法。该GaN准垂直结构二极管是在衬底上依次外延的应力缓冲层、AlGaN插入层、重掺杂的氮面n型GaN电流传输层、轻掺杂的氮面n型GaN漂移层,其中漂移层和电流传输层在AlGaN插入层上形成台阶状的水平台面;阳极位于漂移层上,与漂移层形成肖特基接触;阴极位于电流传输层的侧壁及AlGaN插入层上,与电流传输层和AlGaN插入层形成欧姆接触。该器件在AlGaN和GaN的界面处形成高浓度的二维电子气,从而大幅降低了电流传输层的横向电阻,可以有效改善上方漂移
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113299766 B
(45)授权公告日 2022.08.26
(21)申请号 202010110946.9 (56)对比文件
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