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本申请公开一种半导体结构,包括衬底、有源层和绝缘层。有源层位于衬底上,包括元件结构和围绕元件结构的边界结构,元件结构包括多个间隔设置的元件单元,边界结构包括边界部、从边界部向内凸起的凸出部和分支部。绝缘层包括位于边界结构内的第一绝缘结构和位于边界结构外侧的第二绝缘结构,第一绝缘结构设置在多个元件单元和边界结构之间以使多个元件单元之间绝缘,第二绝缘结构用于将边界结构和外部的有源区域之间绝缘。在平行于边界部和凸出部相连的一侧的边缘的方向上,分支部的宽度小于凸出部的宽度。本申请还公开一种半导体结构的制
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314534 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110492713.4
(22)申请日 2021.05.06
(71)申请人 福建省晋华集成电路有限公司
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