清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案.doc

半导体基础知识 自测题 　一、(１)√ 　(2)× (3)√ (4)× 　(５)√ (6)× 二、(1)A　 (2)Ｃ　 (３)C (４)Ｂ　 (5)A C 三、UＯ1≈1、3V ＵO2=０ UO3≈－1。3V UO４≈2V 　UO5≈2、３V ＵO６≈－2V 四、UO1＝６V UＯ２＝5V 五、依照PCＭ=2０0mW可得:UＣE=40V时IC＝5mA,UＣE＝30V时ＩC≈6、67ｍA,UCE=2０V时ＩC＝10ｍA,UＣE=1０Ｖ时IC＝２0mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 　 ＵO=UCE=２Ｖ。 2、临界饱和时UCES=UBE=0、７V,因此 　 七、Ｔ1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 习题 1。1(1)A　C (２)A (3)C　 (４)A 1、2不能、因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1、3V时管子会因电流过大而烧坏。 １。3　　uｉ和ｕo的波形如图所示。 　 　 1、4　 ui和uo的波形如图所示。 １、５ ｕｏ的波形如图所示。 1、6 ID=(Ｖ－UD)/R＝２。6mA,rD≈UT／ID＝10Ω,Iｄ＝Ui／rD≈1mA、 1。7　 (1)两只稳压管串联时可得１、４Ｖ、６、7V、8、7V和14Ｖ等四种稳压值、 　(2)两只稳压管并联时可得0。7V和6Ｖ等两种稳压值、 　 1、8 IZM＝ＰZM/UZ=２５ｍA,Ｒ＝UZ/ＩＤZ=0。２4~1、2ｋΩ、 　　 1、9 (1)当ＵI=10V时,若UＯ=UZ=6V,则稳压管的电流为４mA,小于其最小稳定电流,因此稳压管未击穿。故 　 　 　 　 　 　 　当UＩ=15V时,由于上述同样的原因,ＵO＝5V、 　　 当UI=３5V时,UO＝UＺ＝5V、 (2)2９mＡ＞ＩZＭ=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。 　 1。10 (1)S闭合。 (2) 　 1。11 　波形如图所示。 　1、１2　　60℃时ICＢO≈3２μＡ。 　１、1３ 选用β＝1０0、ICＢO=1０μA的管子,其温度稳定性好。 1。14 1。15 　晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表 管号 Ｔ1 T2 T3 Ｔ4 Ｔ５ Ｔ6 上 ｅ c e ｂ c b 中 b b b ｅ e e 下 c e c c b c 管型 PNＰ NPN NPN PNP ＰNP NPN 材料 Ｓｉ Si Ｓi Ｇe Ge Ｇｅ １。１6 当VＢB=0时,T截止,uO=12V。 当VBB＝１V时,T处于放大状态。因为 当VＢB＝3Ｖ时,Ｔ处于饱和状态。因为 1、17 取UCES＝ＵBＥ,若管子饱和,则 　　　 １、1８　当uI＝0时,晶体管截止,稳压管击穿,ｕO＝－UＺ=－5Ｖ。 　 当uI＝－５Ｖ时,晶体管饱和,ｕO=0、1V。因为 　 　 　 　 １、1９(ａ)估计 (b)估计 (c)不能 　(d)不能,T会损坏。　(e)估计 1、20 依照方程 　 　 逐点求出确定的ｕＧS下的iＤ,可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中,将各条曲线上uＧD=ＵＧS(oｆf)的点连接起来,便为予夹断线。 　 　１。2１ 1。22 过ｕDS为某一确定值(如15V)作垂线,读出它与各条输出特性的交点的iD值;建立iD＝f(uGS)坐标系,依照前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。 　 １。2３　uI=4V时T夹断,uI＝８V时T工作在恒流区,uI＝12V时T工作在可变电阻区。 1、２４　(ａ)估计　 (ｂ)不能　 (ｃ)不能 (ｄ)估计 　 　　 　 　 　 　 2章 第二章 基本放大电路 自测题 　 一、(1)× (2)√ (3)× (4)×　 (5)√ (6)×　 (7)× 二、(ａ)不能。因为输入信号被VBB短路。 　(ｂ)估计 (c)不能、因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必定失真。 　 　(d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。 (e)不能。因为输入信号被Ｃ２短路。 (f)不能。因为输出信号被VCC短路,恒为零。 (g)估计、 　 　　　　 　　 　 　(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。 　 (i)不能。因为T截止。 　 　三、(1) 　 (2) 　　　　四、(1)A　 (2)C　 (3)Ｂ (4)Ｂ　 五、(１)C,